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Datenblattparameter in alphabetischer Reihenfolge:
Vielleicht rümpfen obgleich der Erklärungen einige die Nase, da diese (meistens?) nicht in einer total verkomplizierten Terminologie abgehalten sind.
Nicht, dass diese Terminologie nicht ihre Berechtigungen besäße, falls es darum geht Dinge eindeutig zu erklären. Nein, es geht hier darum auch Anfängern und weniger bewanderten die Chance zu geben Dinge zu verstehen, die man per verbalem Totschlag sehr viel langsamer oder gar nicht versteht...
0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
0-9:
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A:
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B:
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C:
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D:
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E:
ENOB (Effective Number Of Bits):
Übersetzung: Effektive Anzahl von Bits
Die gemessene Performance eines Analog/Digital-Wandlers (ADC) mit Rückbezug auf die Eingangsfrequenz (fIN). Wenn die Eingangsfrequenz ansteigt, steigt auch auch das Rauschen an (vor allem das der verzerrenden Komponenten). Dieses Rauschen vermindert das Signal-Rausch-Verhältnis (SNR) nach SINAD (Signal to Noise and Distortion; beschreibt das logarithmische Verhältnis von Signalleistung zu Rauschleistung, wobei Verzerrungen und alle anderen Störungen im Übertragungskanal mit berücksichtigt werden) und verringert die Anzahl der effektiv nutzbaren Bits nach folgender Formel:
(siehe auch SINAD)
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F:
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G:
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H:
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I:
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J:
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K:
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L:
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M:
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N:
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O:
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P:
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Q:
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R:
RMS (Root Mean Square):
Übersetzung (holprig): Wurzel-Mittelwert-Quadrat
Der Effektivwert eines Signals. Lässt sich der Verlauf eines Signals nicht so ohne weiteres beschreiben und man will dessen Effektivwert berechnen, kann man das über das (Näherungs-) Verfahren der “Wurzel aus dem Mittelwert der Quadrate” tun.
So kann man z.B. für n = 256 innerhalb von 200µs 256 Werte von einem schnellen A/D-Wandler abnehmen, jeden einzelnen quadrieren, aufaddieren, zum Schluss durch 256 teilen und daraus die Wurzel ziehen. Wenn das 5kHz-Signal (200µs) nicht von zu vielen scharfflankigen Spitzen durchsetzt ist, bekommt man damit schon eine sehr gute Effektivwertberechnung...
(Vereinfachte )Effektivwertberechnung für gleichmäßige (periodische) Signale:
Beispiel: Der Effektivwert der Wechselspannung Veff die bei uns an der Steckdose anliegt beträgt (meistens) 230V. Der Spitze-Spitze-Wert VSS dieser Spannung beträgt:
also ca. 650V. Davon erheben sich 325V in die positive Richtung (über Null) und 325V fallen in die negative Richtung (unter Null).
Will man also den Effektivwert eines sinusförmigen(!) Signals berechnen muss man seinen Spitze-Spitze-Wert durch ca. 2,282 teilen.
Für Signale, die andere Wellenformen haben, kommen andere sog. Scheitelfaktoren (auch: Crestfaktor) zum Einsatz.
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S:
SINAD (Signal To Noise And Distortion Ratio):
Signal-Rausch-Verhältnis zwischen Signalleistung und Rauschleistung (jeweils RMS) inkl. Verzerrungen und aller anderen Störungen im Übertragungskanal.
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T:
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U:
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V:
VBE:
Spannung zwischen Basis und Emitter bei Bipolartransistoren
Übersetzung:
Voltage Basis Emitter (Spannung Basis Emitter)
Biploare Transistoren (BJT, Bipolar Junction Transistor) werden i.Allg. zum Leiten gebracht, indem eine Spannung zwischen Basis und Emitter angelegt wird. Diese beträgt in den meisten Fällen um die 0,7V (Silizium-Transistoren, bei Germanium-Transistoren um die 0,3V (werden kaum noch hergestellt)).
Für NPN-Transistoren muss diese Spannung positiv sein, bei PNP-Typen negativ.
Quelle (u.a.):
- http://de.wikipedia.org/wiki/Elektrische_Spannung
VCC:
positive Versorgungsspannung (+)
Erklärung: Normale bipolare Transistoren besitzen drei Anschlüsse: die Basis (B), den Emitter (E) und den Kollektor (C, engl. Collector).
Bei ICs, die intern mit bipolaren Transistoren aufgebaut sind, zeigen die meisten Kollektoren in Richtung der positiven Versorgungsspannung.
1. Übersetzung:
Common Collector Voltage (gemeinsame Kollektorspannung)
2. Übersetzung:
Die doppelte Indizierung ist in vielen Fällen ganz einfach eine Pluralbildung, d.h. quasi eine Verallgemeinerung. Es handelt sich also nicht um die Spannung an einem einzelnen bestimmten Pin des Bauteils, sondern z.B. VCC meinte ursprünglich die Kollektor-Spannungen an mehreren Bauteilen. Absolute Unterscheidungen dieser Spannungsbezeichnungen sind seit dem abwechselnden/gleichzeitigen Einsatz von TTL- (Transistor Transistor Logic) und CMOS-Logik verwischt worden
Quellen:
- http://de.wikipedia.org/wiki/Elektrische_Spannung
- http://de.wikipedia.org/wiki/VCC
VDD:
positive Versorgungsspannung (+)
Erklärung: MOSFET Transistoren besitzen drei Anschlüsse: das Gate (G), die Source (S) und den Drain (D).
Bei ICs, die intern mit MOSFET-Transistoren aufgebaut sind, zeigen die meisten Drain-Anschlüsse in Richtung der positiven Versorgungsspannung.
Übersetzung:
Die doppelte Indizierung ist auch hier ganz einfach eine Pluralbildung, d.h. quasi eine Verallgemeinerung. Es handelt sich also nicht um die Spannung an einem einzelnen bestimmten Pin des Bauteils, sondern z.B. VDD meinte ursprünglich die Drain-Spannungen an mehreren Bauteilen. Absolute Unterscheidungen dieser Spannungsbezeichnungen sind seit dem abwechselnden/gleichzeitigen Einsatz von TTL- (Transistor Transistor Logic) und CMOS-Logik verwischt worden
Quelle:
- http://de.wikipedia.org/wiki/Elektrische_Spannung
VEE:
negative Versorgungsspannung (i)
Erklärung: Normale bipolare Transistoren besitzen drei Anschlüsse: die Basis (B), den Emitter (E) und den Kollektor (C, engl. Collector).
Bei ICs, die intern mit bipolaren Transistoren aufgebaut sind, zeigen die meisten Emitter in Richtung der negativeren Versorgungsspannung (meistens GND, engl.: Ground).
Übersetzung:
Die doppelte Indizierung auch hier eine Pluralbildung, d.h. quasi eine Verallgemeinerung. Es handelt sich also nicht um die Spannung an einem einzelnen bestimmten Pin des Bauteils, sondern z.B. VEE meinte ursprünglich die Emitter-Spannungen an mehreren Bauteilen. Absolute Unterscheidungen dieser Spannungsbezeichnungen sind seit dem abwechselnden/gleichzeitigen Einsatz von TTL- (Transistor Transistor Logic) und CMOS-Logik verwischt worden
Quelle:
- http://de.wikipedia.org/wiki/Elektrische_Spannung
VGS:
Spannung zwischen Gate und Source bei MOSFET-Transistoren
Übersetzung:
Voltage Gate Source (Spannung Gate Source)
MOSFETs werden i.Allg. zum Leiten gebracht, indem eine Spannung zwischen Gate und Source angelegt wird. Diese beträgt in den meisten Fällen um die 10V. Es existieren allerdings auch viele Typen, die mit logischen Spannungspegeln (<=5V) angesteuert werden. Diese tragen dann oft ein “L” in ihrer Typenbezeichnung.
Für N-Kanal-MOSFETs muss diese Spannung positiv sein, bei “P-Kanälern” negativ.
Quelle (u.a.):
- http://de.wikipedia.org/wiki/Elektrische_Spannung
VSS:
negative Versorgungsspannung (-)
Erklärung: MOSFET Transistoren besitzen drei Anschlüsse: das Gate (G), die Source (S) und den Drain (D).
Bei ICs, die intern mit MOSFET-Transistoren aufgebaut sind, zeigen die meisten Source-Anschlüsse in Richtung der negativeren Versorgungsspannung (meistens GND, engl.: Ground).
Übersetzung:
Die doppelte Indizierung ist auch hier eine Pluralbildung, d.h. quasi eine Verallgemeinerung. Es handelt sich also nicht um die Spannung an einem einzelnen bestimmten Pin des Bauteils, sondern z.B. VSS meinte ursprünglich die Source-Spannungen an mehreren Bauteilen. Absolute Unterscheidungen dieser Spannungsbezeichnungen sind seit dem abwechselnden/gleichzeitigen Einsatz von TTL- (Transistor Transistor Logic) und CMOS-Logik verwischt worden
Quelle:
- http://de.wikipedia.org/wiki/Elektrische_Spannung
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W:
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X:
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Y:
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Z:
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